[发明专利]一种低分子无碳聚硅氮烷及其液相合成方法无效
| 申请号： | 201110007914.7 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102173398A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 张长瑞;李斌;曹峰;王思青;齐共金;李俊生;刘荣军 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C01B21/082 | 分类号： | C01B21/082;C01B33/00 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所 43205 | 代理人： | 宁星耀 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种低分子无碳聚硅氮烷及其液相合成方法，该低分子无碳聚硅氮烷，其特征在于，为液态，其结构中仅含有Si-N、Si-H和N-H键，不含碳或者其他杂质元素。其液相合成方法包括以下步骤：（1）在装有原料进口管、导气管、搅拌器及冷凝器的容器中，加入有机溶剂和卤代硅烷；（2）向所述容器中通入过量氮氢化合物，静置0.5～7小时，再在惰性气氛保护下过滤，得到澄清溶液；（3）在常温或加热条件下减压蒸馏，将有机溶剂除去，得到透明液体。使用本发明之低分子无碳聚硅氮烷裂解制成的氮化硅陶瓷，介电性能优异；合成原料化合物来源广，价格低廉，合成装置简单，操作方便，可控性好，合成产物纯度高，产率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分子 无碳聚硅氮烷 及其 相合 成方 | ||
【主权项】：
一种低分子无碳聚硅氮烷，其特征在于，为液态，其结构中仅含有Si‑N、Si‑H和N‑H键，分子量104～360可调，不含碳或者其他杂质元素。
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