[发明专利]移位寄存器有效
申请号: | 201080064165.5 | 申请日: | 2010-10-14 |
公开(公告)号: | CN102763167A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 小原将纪 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G11C19/28 | 分类号: | G11C19/28;G09G3/20;G09G3/36;G11C19/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 将包含补偿电路(21)的单位电路(11)多级连接,而构成移位寄存器。当从下下一级单位电路输出的第二复位信号(R2)变成高电平时,补偿电路(21)对追加输出端子(Z)施加比低电平电位更低的超射电位(Vos)(补偿用电位)。对TFT:T8(输出复位晶体管)的栅极端子提供从下一级单位电路中包含的追加输出端子(Z)输出的信号。对TFT:T8的栅极端子交替地施加高电平电位和极性与其相反的补偿用电位,由此,抑制TFT:T8的阈值电压移位,防止输出信号的复位时间随着时间的经过而变迟。 | ||
搜索关键词: | 移位寄存器 | ||
【主权项】:
一种移位寄存器,其特征在于:所述移位寄存器具有将多个单位电路多级连接的结构,并基于多个时钟信号进行动作,所述单位电路包括:输出晶体管,所述输出晶体管的一个导通端子被提供一个时钟信号,所述输出晶体管的另一个导通端子与输出节点连接;按照所提供的置位信号,对所述输出晶体管的控制端子施加导通电位的输入晶体管;按照所提供的输出复位信号,对所述输出节点施加断开电位的输出复位晶体管;追加输出晶体管,所述追加输出晶体管的控制端子和一个导通端子以与所述输出晶体管同样的方式连接,所述追加输出晶体管的另一个导通端子与追加输出节点连接;和在规定的定时对所述追加输出节点施加极性以断开电位为基准与导通电位相反的补偿用电位的补偿电路,其中,对所述输出复位晶体管提供从下一级单位电路中包含的追加输出节点输出的信号作为所述输出复位信号。
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