[发明专利]通讯装置无效
| 申请号： | 201080018884.3 | 申请日： | 2010-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102414699A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 高桥利男 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯电气株式会社 |
| 主分类号： | G06K19/07 | 分类号： | G06K19/07;H01F1/14;H01Q1/38;H01Q7/06;H04B5/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种通信装置，其目的在于，尤其与以往相比能够抑制共振频率和最大通讯距离的偏差。在通讯装置10中，设置有终端标签(11)和磁性构件(14)，该终端标签(11)用于与外部装置之间进行无线通讯；该磁性构件(14)从所述外部装置相反侧与所述终端标签(11)相对向，并且，所述磁性构件(14)由高μ’层(12)和低μ’层(13)的层叠构造形成，该高μ’层(12)被设置在所述终端标签(11)侧；该低μ’层(13)被设置得比所述高μ’层(12)更远离所述终端标签(11)侧，且复数相对磁导率的实部μ’比所述高μ’层(12)低，并且厚度尺寸比所述高μ’层(12)厚。 | ||
| 搜索关键词： | 通讯 装置 | ||
【主权项】：
一种通讯装置，其设置有终端标签和磁性构件，该终端标签用于与外部装置之间进行无线通讯；该磁性构件从所述外部装置相反侧与所述终端标签相对向，其特征在于，所述磁性构件由高μ’层和低μ’层的层叠构造形成，所述高μ’层被设置在所述终端标签侧；所述低μ’层被设置得比所述高μ’层更远离所述终端标签侧、且复数相对磁导率的实部μ’比所述高μ’层低、并且厚度尺寸比所述高μ’层厚。
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