[发明专利]贵金属-石墨烯双层复合导电膜的自组装制备方法无效
| 申请号： | 201010606722.3 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102021573A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 徐伟箭;欧恩才;张小娟;熊远钦;陈忠明;向育军;钱江涛 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | C23C26/00 | 分类号： | C23C26/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明为一种贵金属-石墨烯双层复合导电膜的自组装制备方法，它是以贵金属离子或配离子、氧化石墨烯为原料，通过溶剂诱导自组装方法得到的贵金属-石墨烯双层复合导电膜。双层复合导电膜的贵金属层、石墨烯层及整体膜的厚度可以通过贵金属离子溶液、氧化石墨烯溶液的浓度和体积进行调控，双层复合导电膜中银层与石墨烯层的导电性可以调控。本发明提供了一种稳定、可靠的贵金属-石墨烯双层复合导电膜制备方法。本发明提供的贵金属-石墨烯双层复合导电膜可用于电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 贵金属 石墨 双层 复合 导电 组装 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种以贵金属离子、氧化石墨烯为原料的贵金属‑石墨烯双层复合导电膜的自组装制备方法。
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