[发明专利]30CrMnSiNi2A件感应加热局部回火工艺无效
申请号: | 201010604337.5 | 申请日: | 2010-12-24 |
公开(公告)号: | CN102010966A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 于新年;李新平 | 申请(专利权)人: | 沈阳飞机工业(集团)有限公司 |
主分类号: | C21D9/00 | 分类号: | C21D9/00;C21D1/42 |
代理公司: | 沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207 | 代理人: | 窦久鹏 |
地址: | 110034 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 30CrMnSiNi2A件感应加热局部回火工艺,其特征在于初始振荡电流值350A,加热温度550℃±10℃,保温时间7.5s,水冷。优点:1、30CrMnSiNi2A件感应加热局部回火工艺不采用铅金属,因此没有铅蒸气,不污染环境,也保护了操作者的身体健康;2、感应加热局部回火较铅浴局部回火的生产周期由60s~90s缩短至15s~30s,缩短了近2/3时间;3、现行的铅浴局部回火要消耗大量金属铅,并且铅需要在24h保持熔融状态,能耗大。 | ||
搜索关键词: | 30 crmnsini2a 感应 加热 局部 回火 工艺 | ||
【主权项】:
30CrMnSiNi2A件感应加热局部回火工艺,其特征在于初始振荡电流值350A,加热温度550℃±10℃,保温时间4s ~15s,水冷。
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