[发明专利]30CrMnSiNi2A件感应加热局部回火工艺无效

专利信息
申请号: 201010604337.5 申请日: 2010-12-24
公开(公告)号: CN102010966A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: 于新年;李新平 申请(专利权)人: 沈阳飞机工业(集团)有限公司
主分类号: C21D9/00 分类号: C21D9/00;C21D1/42
代理公司: 沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207 代理人: 窦久鹏
地址: 110034 *** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 30CrMnSiNi2A件感应加热局部回火工艺,其特征在于初始振荡电流值350A,加热温度550℃±10℃,保温时间7.5s,水冷。优点:1、30CrMnSiNi2A件感应加热局部回火工艺不采用铅金属,因此没有铅蒸气,不污染环境,也保护了操作者的身体健康;2、感应加热局部回火较铅浴局部回火的生产周期由60s~90s缩短至15s~30s,缩短了近2/3时间;3、现行的铅浴局部回火要消耗大量金属铅,并且铅需要在24h保持熔融状态,能耗大。
搜索关键词: 30 crmnsini2a 感应 加热 局部 回火 工艺
【主权项】:
30CrMnSiNi2A件感应加热局部回火工艺,其特征在于初始振荡电流值350A,加热温度550℃±10℃,保温时间4s ~15s,水冷。
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