[发明专利]具有自选择抗串扰功能的阻变存储器及交叉阵列存储电路无效
| 申请号： | 201010580793.0 | 申请日： | 2010-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102142516A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 陈沅沙;高滨;陈冰;张飞飞;刘力锋;刘晓彦;康晋锋;韩汝琦 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有自选择抗串扰功能的阻变存储器，包括：上电极、下电极，以及位于所述上电极和下电极之间的阻变层，其中，所述阻变层包括具有阻变特性的氧化物材料。本发明还提供了一种包括上述阻变存储器的交叉阵列存储电路。本发明采用具有阻变特性的氧化物材料作为存储介质，从而利用在阻变层和电极之间形成整流特性来实现了存储器的自选择抗串扰功能，由于不需要引入额外的选择器件，这种1R存储单元在高密度集成和功耗上都具有明显的优势，即，能够简化工艺步骤，降低电路功耗和提高阻变存储器集成密度，从而能够满足交叉阵列存储电路的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 选择 抗串扰 功能 存储器 交叉 阵列 存储 电路 | ||
【主权项】：
一种具有自选择抗串扰功能的阻变存储器，其特征在于，包括：上电极、下电极，以及位于所述上电极和下电极之间的阻变层，其中，所述阻变层包括具有阻变特性的氧化物材料。
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