[发明专利]寒富苹果矮干高冠栽植法无效
| 申请号： | 201010523897.8 | 申请日： | 2010-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101978818A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 李茂生;李光明 | 申请（专利权）人： | 李茂生;李光明 |
| 主分类号： | A01G17/00 | 分类号： | A01G17/00;A01B79/00 |
| 代理公司： | 沈阳利泰专利商标代理有限公司 21209 | 代理人： | 李枢 |
| 地址： | 118100 辽宁省凤城*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 寒富苹果矮干高冠栽植法，包括以下工艺步骤：1、建园时选择园址。2、整地。3、挖栽植沟：沟深0.8米，宽0.6-0.7米；挖穴深0.8米，1米直径圆形或方形均可，表土与心土分别堆放，不让土层混乱。4、整地时间最好在秋季或上冬前进行。5、栽植沟(穴)挖完之后，应往沟铺一层秸秆或杂草等枯枝乱叶，然后回填心土沉实，再回填表层土起畦，畦高于地面0.5-0.6米处栽植苹果苗木。本项发明的优点：这种栽植苹果树方法能提高苗木栽植后受光面积，提高阳光的利用率，增加地温，使苗木根系很快恢复愈合组织进行吸收营养。 | ||
| 搜索关键词： | 苹果 矮干高冠 栽植 | ||
【主权项】：
寒富苹果矮干高冠栽植法，其特征包括以下工艺步骤：建园时选择园址：园址是一定要选择在水位较低，背风向阳，又便于灌溉的沙壤土为好；整地：如每亩栽植株数在50株要进行挖栽植沟，每亩栽植50株的要挖栽植穴；挖栽植沟的规格是：沟深0.8米，宽0.6‑0.7米；挖穴深0.8米，1米直径园形或方形均可，表土与心土分别堆放，不让土层混乱；整地时间最好在秋季或上冬前进行；栽植沟挖完之后，应往沟铺一层秸秆或杂草等枯枝乱叶，然后回填心土沉实，再回填表层土起畦，畦高于地面0.5‑0.6米处栽植苹果苗木；苗木的定干高度应在苗木0.65‑0.75米饱满芽处定干，这个高度再加畦高，树冠高度可达到1.1或1.3米的高度。
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