[发明专利]混合主存储器实现节能存储的方法无效

专利信息
申请号: 201010509810.1 申请日: 2010-10-15
公开(公告)号: CN101989183A 公开(公告)日: 2011-03-23
发明(设计)人: 陈天洲;乐金明;马建良;乔福明;虞保忠 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F1/32
代理公司: 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 代理人: 张宇娟
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种混合主存储器实现节能存储的方法,它包括如下步骤:构造以相变存储器为主、动态随机存储器为缓冲存储器的混合主存储器,并设计适应该主存储器结构的读写策略,并根据该读写策略对磁盘和相变存储器中的数据进行读写。本发明是对原来的主存储器结构做出改进,充分利用相变存储器大容量、低功耗的优点以及动态随机存储器低时延的特点,使得混合主存储器在不增加功耗和时延的前提下获得更大的容量,从而减少对磁盘的访问次数,实现存储方面的节能。
搜索关键词: 混合 主存储器 实现 节能 存储 方法
【主权项】:
一种混合主存储器实现节能存储的方法,其特征在于包括如下步骤:1)构造混合主存储器:混合主存储器由相变存储器PCM和动态随机存储器DRAM组成,相变存储器提供混合主存储器的主要容量,用于存储程序运行时所需要的指令和数据;DRAM通过数据线与磁盘和相变存储器相连,用于缓冲磁盘和相变存储器的数据,DRAM还通过数据线与处理器相连,用于向处理器发送数据;2)根据如下读写策略对磁盘和相变存储器中的数据进行读写:当处理器需要数据或指令时,首先判断它们是否存在于DRAM缓冲区中,如果存在就将其发送给处理器;如果不存在于DRAM缓冲区中,就继续判断它们是否存在于相变存储器中,如果存在于相变存储器就先将其读入DRAM缓冲区中,然后发送给处理器;如果它们不存在于相变存储器中,就从磁盘中将其读入DRAM缓冲区中,然后发送给处理器;当DRAM缓冲区满时,部分页表会被替换掉以装载新的数据,在这些页表被替换掉前,首先判断该拟被替换掉的页表是否在相变存储器中和是否是脏数据,如果其不在相变存储器中或是脏数据,则将其写入相变存储器中,否则,直接用新的数据将其覆盖掉。
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