[发明专利]铜铟镓硒薄膜电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201010279009.2 | 申请日： | 2010-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101980368A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 王晓峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种铜铟镓硒薄膜电池，包括依次叠合的衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层、阻挡层、窗口层及减反膜层。该铜铟镓硒薄膜电池还包括形成于窗口层上的金属栅电极。金属栅电极包括位于减反膜层上的第一钼层，位于第一钼层上的铜层，和位于铜层上的第二钼层。上述铜铟镓硒薄膜电池具有高致密性和高导电性的金属栅电极。本发明还提供上述铜铟镓硒薄膜电池的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硒 薄膜 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜铟镓硒薄膜电池，包括依次叠合的衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层、阻挡层、窗口层，其特征在于：还包括形成于该窗口层上的金属栅电极，该金属栅电极包括位于该窗口层上的第一钼层，位于该第一钼层上的铜层，和位于该铜层上的第二钼层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
