[发明专利]多接面光电池元件无效
| 申请号： | 201010271134.9 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102386252A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 吴展兴 | 申请（专利权）人： | 太聚能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多接面光电池元件。所述多接面光电池元件包括一锗基板，在表面具有一浅接面。该浅接面介于一p型掺杂锗基板和一含磷的n型浅扩散区域之间。具有双接面的一多层堆叠电池结构设置在该锗基板之上，以及一超晶格结构夹置于具有双接面的该多层堆叠电池结构与该锗基板之间。 | ||
| 搜索关键词： | 多接面 光电池 元件 | ||
【主权项】：
一种多接面光电池元件，其特征在于，包括：一锗基板，其表面具有一浅接面；一多接面的堆叠电池结构设置在该锗基板之上；以及一超晶格结构夹置在该多接面的堆叠电池结构与该锗基板之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
