[发明专利]改善微波/射频功率放大器芯片热失效的设计方法无效

专利信息
申请号: 201010233532.1 申请日: 2010-07-22
公开(公告)号: CN102339336A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 刘涛 申请(专利权)人: 沈阳中科微电子有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50;H01L27/02
代理公司: 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 代理人: 韩辉
地址: 110179 辽宁省沈阳市浑*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种改善微波/射频功率放大器芯片热失效的设计方法,其特点是在多个小面积晶体管进行并联排布时,将晶体管的间距按照从中间到两边依次递减的方式进行非均匀排布,使中心器件和边缘器件的热均匀分布。本发明在设计时将中间器件与邻近器件的间距按照从中间到两边的次序依次减小,将会使中间器件的热耦合减弱、边缘器件的热耦合相对中间器件有所加强,从而有效避免中间器件过热,使各器件的温度趋于相同、器件与器件之间的电流分布趋于相等,避免出现电流增益塌陷,从而大大简化微波/射频功率放大器芯片的热设计,降低热失效发生的几率,并有效缩短研发周期和节约成本。
搜索关键词: 改善 微波 射频 功率放大器 芯片 失效 设计 方法
【主权项】:
一种改善微波/射频功率放大器芯片热失效的设计方法,其特征在于在多个小面积晶体管进行并联排布时,将晶体管的间距按照从中间到两边依次递减的方式进行非均匀排布,使中心器件和边缘器件的热均匀分布。
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