[发明专利]原位自生长纳米碳复合材料的制备方法无效
| 申请号： | 201010204539.0 | 申请日： | 2010-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101872651A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 朱申敏;张荻;刘庆雷;李尧 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01B1/04 | 分类号： | H01B1/04;H01B13/00;H01G9/042 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电化学材料技术领域的原位自生长纳米碳复合材料的制备方法。包括如下步骤：原位自生长纳米碳基体材料的制备；碳基体材料表面处理；配制金属氧化物前驱体溶液；将步骤(2)制备得到的碳基体材料0.2g加入到步骤(3)配制的前驱体溶液中，经超声处理、冲洗、干燥，在氮气保护下烧结，得到原位自生长纳米碳复合材料。本发明利用金属盐处理活性炭材料，通过高温处理后，碳材料中原位生长具有石墨层状结构的纳米碳。然后，利用超声反应的方法使纳米金属氧化物均匀地生成并分布在碳材料的表面。本发明利用廉价的活性炭，成本低，工艺简单，易于商业化。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 生长 纳米 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种原位自生长纳米碳复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)原位自生长纳米碳基体材料的制备；(2)碳基体材料表面处理；(3)配制金属氧化物前驱体溶液；(4)将步骤(2)制备得到的碳基体材料0.2g加入到步骤(3)配制的前驱体溶液中，经超声处理、冲洗、干燥，在氮气保护下烧结，得到原位自生长纳米碳复合材料。
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