[发明专利]一种光纤珐珀磁场传感器及其制备方法无效
| 申请号： | 201010194583.8 | 申请日： | 2010-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101852840A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 冉曾令;饶云江;鲁恩 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032;G02B6/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光纤珐珀磁场传感器，包括光纤，其特征在于，在光纤的一端面设置一个以气体或者空气为介质的珐珀腔，所述珐珀腔包括两个反射面，一个反射面为光纤的端面，另一反射面是与光纤端面相对应的膜片，所述膜片镀有或者粘贴有磁材料或者金属材料，靠近磁场时，磁力带动膜片运动而改变所述珐珀腔的腔长，所述光纤拾取珐珀腔的反射光学信号获取珐珀腔腔长信息，实现对磁场的测量。该传感器能克服现有技术的缺陷，能实现长期稳定、准确的测量磁场，而且灵敏度高，制备方法简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光纤 磁场 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光纤珐珀磁场传感器，包括光纤，其特征在于，在光纤的一端面设置一个以气体或者空气为介质的珐珀腔，所述珐珀腔包括两个反射面，一个反射面为光纤的端面，另一反射面是与光纤端面相对应的膜片，所述膜片镀有或者粘贴有磁材料或者金属材料，靠近磁场时，磁力带动膜片运动而改变所述珐珀腔的腔长，所述光纤拾取珐珀腔的反射光学信号获取珐珀腔腔长信息，实现对磁场的测量。
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