[发明专利]纳米级片状二硫化钼的制备方法无效
| 申请号： | 201010185621.3 | 申请日： | 2010-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101857273A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 施利毅;杨廷廷;冯欣;汤庆利;方建慧;王钢领;时雯 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种纳米级片状二硫化钼的制备方法，其特征在于以四硫代钼酸铵为钼源和硫源，以草酸为还原剂，二者于水溶液中在加热搅拌的条件下，经化学沉淀法得无定形二硫化钼。然后将无定形二硫化钼置于石英舟上于管式炉中在氮气氛下高温加热，最终得到纳米级片状二硫化钼。本发明采用的是化学沉淀法和高温加热法制备纳米级片状二硫化钼，原料易得、价格低廉、工艺简单，有望大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 片状 二硫化钼 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米级片状二硫化钼的制备方法，其特征在于：以四硫代钼酸铵为钼源和硫源，草酸为还原剂，去离子水为溶剂，三者的摩尔比依次为1∶1～2∶400～500，在温度70～90℃下搅拌反应1～1.5h，经化学沉淀法制得无定形二硫化钼，然后于氮气氛下高温加热处理，得到纳米级片状二硫化钼。
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