[发明专利]一维光栅太赫兹量子阱光电探测器响应率的优化方法有效
申请号: | 201010159044.0 | 申请日: | 2010-04-27 |
公开(公告)号: | CN101834227A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 张戎;郭旭光;曹俊诚 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种一维光栅太赫兹量子阱光电探测器响应率的优化方法,包括如下步骤:1)模拟正入射到器件表面的太赫兹光经过光栅后进入器件发生衍射的光场分布,计算一级衍射模垂直于器件表面方向的波长λ⊥;2)在器件机械性能允许的范围内减薄器件的衬底,使器件的总厚度L为所述波长λ⊥的整数倍。该方法可通过对器件衬底的研磨、抛光和腐蚀以实现器件中光场的最优化分布,同时设计合理的上电极层的厚度并适当增加量子阱层数可使多量子阱处于光场较强的区域,从而提高器件的性能,优化其响应率,对THz实时成像的研究和实现具有重要的意义。 | ||
搜索关键词: | 光栅 赫兹 量子 光电 探测器 响应 优化 方法 | ||
【主权项】:
一种一维光栅太赫兹量子阱光电探测器响应率的优化方法,所述一维光栅太赫兹量子阱光电探测器包括器件及器件表面的光栅,其特征在于,包括如下步骤:1)模拟正入射到器件表面的太赫兹光经过光栅后进入器件发生衍射的光场分布,计算一级衍射模垂直于器件表面方向的波长λ⊥;2)根据所述波长λ⊥优化器件结构:在器件机械性能允许的范围内减薄器件的衬底,使器件的总厚度L为所述波长λ⊥的整数倍。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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