[发明专利]一种钒电池用全氟磺酸离子交换膜制备工艺无效

专利信息
申请号: 201010158007.8 申请日: 2010-04-28
公开(公告)号: CN102237534A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 赵丽娜;刘建国;严川伟 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: H01M8/02 分类号: H01M8/02;H01M2/16;C08J7/04
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及全钒氧化还原液流电池用离子交换膜领域,特别涉及一种用于钒电池阻钒性好的全氟磺酸离子交换膜的制备工艺。将全氟磺酸离子交换树脂溶液喷涂在聚四氟乙烯基膜上,包括将三分之一的全氟磺酸离子交换树脂溶液喷涂在聚四氟乙烯基膜两面、隔膜热定型、再将三分之一的全氟磺酸离子交换树脂溶液喷涂在已热定型的隔膜两面、隔膜热定型、最后将剩下三分之一的全氟磺酸离子交换树脂溶液喷涂在已热定型的隔膜两面、隔膜的热定型工艺过程。本发明可以解决现有隔膜应用于钒电池时阻钒性差、厚度精度低的问题,大大提高隔膜的阻钒性,在钒电池的使用中有效阻挡钒离子的透过,提高电池的效率,机械强度显著提高,隔膜厚度更容易控制,精度高。
搜索关键词: 一种 电池 用全氟磺酸 离子交换 制备 工艺
【主权项】:
一种钒电池用全氟磺酸离子交换膜制备工艺,其特征在于,将全氟磺酸离子交换树脂溶液喷涂在聚四氟乙烯基膜上,具体步骤如下:(1)将全氟磺酸离子交换树脂溶液喷涂在聚四氟乙烯基膜两面,在每面形成第一层隔膜,进行隔膜热定型,经热定型后的第一层隔膜厚度为20‑40μm;(2)再将全氟磺酸离子交换树脂溶液喷涂在已热定型的第一层隔膜两面,在每面形成第二层隔膜,进行隔膜热定型,经热定型后的第二层隔膜厚度为20‑40μm;(3)最后将全氟磺酸离子交换树脂溶液喷涂在已热定型的第二层隔膜两面,在每面形成第三层隔膜,进行隔膜热定型,经热定型后的第三层隔膜厚度为20‑40μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所,未经中国科学院金属研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010158007.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top