[发明专利]一种具有高峰值电流密度隧穿结的多结太阳电池有效
| 申请号： | 201010131540.5 | 申请日： | 2010-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101814543A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 林桂江;王良均;丁杰;吴志强 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/052 | 分类号： | H01L31/052;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 35101 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有高峰值电流密度隧穿结的多结太阳电池，特别地是一种高倍聚光型GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池，连接Ge底电池、GaInAs中电池和GaInP顶电池的隧穿结共有五层，第一层是n型(AlxGa1-x)InP或AlGaAs防扩散层，第二层是使用Si、Te共掺的GaAs薄膜，第三层是使用Te掺杂的GaAs薄膜，第四层是使用C掺杂的AlGaAs薄膜，第五层是p型(AlxGa1-x)InP或AlGaAs防扩散层。通过本发明可以获得隧穿结峰值电流密度大于150A/cm2，含有所述隧穿结的多结太阳电池可在高于2000倍太阳聚光的条件下工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 峰值 电流密度 隧穿结 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种具有高峰值电流密度隧穿结的多结太阳电池，含有高倍聚光型GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池，其特征是：连接Ge底电池、GaInAs中电池和GaInP顶电池的隧穿结共有五层，第一层是n型(AlxGa1-x)InP或AlGaAs防扩散薄膜，第二层是使用Si、Te共掺的GaAs薄膜，第三层是使用Te掺杂的GaAs薄膜，第四层是使用C掺杂的AlGaAs薄膜，第五层是p型(AlxGa1-x)InP或AlGaAs防扩散薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
