[发明专利]高居里点的无铅PTCR热敏陶瓷材料无效
| 申请号： | 201010102113.4 | 申请日： | 2010-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101792316A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张鸿;李志成 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C04B35/50 | 分类号： | C04B35/50 |
| 代理公司： | 中南大学专利中心 43200 | 代理人： | 胡燕瑜 |
| 地址： | 410083*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体陶瓷材料，尤其是符合高居里点、无铅陶瓷材料实现半导化，制备无铅、高居里点(大于120℃)、具有正的电阻温度系数(PTCR)的热敏陶瓷电阻材料，该材料的成分组成为：(Bi1/2K1/2-a/2Naa/2)Ce1-bDbO3，其中a＝0～1，b＝0.0005～0.005。本发明的高居里点PTCR热敏陶瓷材料中不含铅，所用原料来源广泛丰富，避免了电阻元器件制造和使用过程中铅对环境与人体的危害。本发明解决了无铅高居里点PTCR热敏陶瓷电阻材料的成分设计和材料半导化的技术难题，并能通过调节主成分的配方实现较宽温度范围的居里点的可调性。 | ||
| 搜索关键词： | 居里 ptcr 热敏 陶瓷材料 | ||
【主权项】：
一种高居里点的无铅PTCR热敏陶瓷材料，其特征是材料的成分组成为：(Bi1/2K1/2-a/2Naa/2)Ce1-bDbO3，其中a＝0～1，b＝0.0005～0.005，D为微量半导化元素，是Sb、Nb、Ta、V、Mo、W元素中的至少一种元素，其含量占材料总量的0.05～0.5mol％。
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