[实用新型]非晶硅拼接式防阴影大板幅组件无效
| 申请号： | 200920097560.8 | 申请日： | 2009-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN201466038U | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 刘俊峰;汪洋 | 申请（专利权）人： | 天津市津能电池科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;H01L31/05;H01L31/18 |
| 代理公司： | 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 | 代理人： | 王来佳 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种非晶硅拼接式防阴影大板幅组件，由单片电池及背板构成，其中：将多片单片电池的电极进行互相连接，并采用层压机将其层压在一块大背板上。本实用新型在一块大板幅组件上的单片电池可以采用串联或串并联结合的方式进行内部联接，在整体上能够表现出多种电流、电压特性，使这种类型的组件可以拥有非常灵活的使用方式，并在串联结构间增加旁路二极管，从而实现了防阴影的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅 拼接 阴影 大板幅 组件 | ||
【主权项】：
一种非晶硅拼接式防阴影大板幅组件，由单片电池及背板构成，其特征在于：将多片单片电池的电极进行互相连接，并采用层压机将其层压在一块大背板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
