[发明专利]高速模拟开关无效
| 申请号： | 200910254420.1 | 申请日： | 2009-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101764598A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 朱樟明;李光辉;刘帘曦;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高速模拟开关，主要解决现有高速模拟开关器电路复杂问题。它由三个NMOS晶体管连接组成，第一晶体管的漏端(D1)接输入端，源端(S1)接输出端；第二晶体管的源端(S2)和体端(B2)接第一晶体管的体端(B1)，第二晶体管的漏端(D2)接第一晶体管的漏端(D1)并作为模拟开关的输入端，第三晶体管的漏端(D3)接第二晶体管的源端(S2)，第三晶体管的体端(B3)与源端(S3)相连并接地；第一晶体管的栅端(G1)与第二晶体管的栅端(G2)接同相控制时钟，第三晶体管的栅端(G3)接反相控制时钟，实现所述三个NMOS晶体管的有序导通与关断。本发明具有电路元件少，电路结构简单的优点，可用于中低速模数转换器的采样保持电路。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 模拟 开关 | ||
【主权项】：
一种高速模拟开关，其特征在于，包括第一NMOS晶体管MN1、第二NMOS晶体管MN2和第三NMOS晶体管MN3，该第一NMOS晶体管MN1的漏端(D1)接模拟输入电平，源端(S1)作为输出端；该第二NMOS晶体管MN2的源端(S2)与第二NMOS晶体管MN2的体端(B2)相连，并与第一NMOS晶体管MN1的体端(B1)相连，第二NMOS晶体管MN2的漏端(D2)与第一NMOS晶体管MN1的漏端(D1)相连作为模拟开关的输入端，第三NMOS晶体管MN3的漏端(D3)接第二NMOS晶体管MN2的源端(S2)，第三NMOS晶体管MN3的体端(B3)与第三NMOS晶体管MN3的源端(S3)相连并接地。
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