[发明专利]Nafion膜的Cs-HPW表面改性方法和Cs-HPW表面改性的Nafion膜无效
| 申请号： | 200910243704.0 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102108128A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 相艳;杨萌;卢善富;张劲 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C08J7/12 | 分类号： | C08J7/12;C08J7/14;H01M8/02;H01M2/16 |
| 代理公司： | 北京金恒联合知识产权代理事务所 11324 | 代理人： | 李强;吴云华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明人提出了一种基于Nafion膜的表面改性方法和Cs-HPW表面改性的Nafion膜。通过利用磷钨酸与碳酸铯(Cs2CO3)的相互作用，在已经取代了Cs2CO3的Nafion中引入Cs2CO3与HPW的反应沉淀颗粒，而达到减小甲醇扩散通道外部口径的目的，进而减小甲醇扩散率。同时通过铯盐与HPW的反应，使HPW得到固定，从而使之生成不溶于水的沉淀物，不易随水流失。本发明的Nafion膜的Cs-HPW表面改性方法包括：Cs改性处理，从而得到改性的Nafion膜；以及，HPW改性处理，从而得到Cs-HPW改性的Nafion膜。 | ||
| 搜索关键词： | nafion cs hpw 表面 改性 方法 | ||
【主权项】：
Nafion膜的Cs‑HPW表面改性方法，其特征在于包括：铯改性处理，从而得到铯改性的Nafion膜；以及HPW改性处理，从而得到Cs‑HPW改性的Nafion膜(“Cs‑HPW‑Nafion膜”)。
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