[发明专利]一种钇钡铜氧涂层导体前驱膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种钇钡铜氧涂层导体前驱膜的制备方法，将Y、Ba、Cu三种金属离子总浓度为1.5mol/L≤c≤2.0mol/L的钇钡铜氧前驱液旋涂于已用丙酮超声清洗过的LaAlO3单晶基片上，涂覆条件为环境温度低于30℃和环境相对湿度低于40％，然后将旋涂好的LaAlO3单晶基片置于管式炉中进行低温热处理，即获得均匀完整的钇钡铜氧涂层导体前驱膜。该方法制备的钇钡铜氧前驱膜完整，表面光滑，无宏(微)观裂纹，无褶皱和孔洞，有利于YBCO的高温成相，从而获得高性能的钇钡铜氧涂层导体。

主权项

一种钇钡铜氧涂层导体前驱膜的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：(1)将前驱体乙酸钇、乙酸钡和乙酸铜在室温下按原子数比Y∶Ba∶Cu＝1∶2∶3的比例混合，溶入去离子水中形成溶液，加入适量的三氟乙酸使乙酸钇、乙酸钡和乙酸铜充分溶解，在温度60℃-80℃条件下回流6-10小时，得到Y、Ba和Cu三氟乙酸盐的混合物，然后加入甲醇在旋转蒸发仪上反复减压蒸馏得纯净的Y、Ba和Cu的三氟乙酸盐凝胶，在纯净的Y、Ba和Cu的三氟乙酸盐凝胶中加入适量的溶剂无水甲醇和螯合剂丙二酸，得到Y、Ba和Cu三种金属离子总摩尔浓度为c的钇钡铜氧前驱液，1.5≤c≤2.0mol/L，所述无水甲醇和丙二酸的体积比为15-20∶1；(2)在密闭的玻璃罩中通入氩气或氮气进行气体交换，在涂覆环境温度低于30℃和涂覆环境相对湿度低于40％的条件下，将步骤(1)中的钇钡铜氧前驱液旋涂于已用丙酮超声清洗过的LaAlO3单晶基片上，然后将旋涂好的LaAlO3单晶基片置于管式炉中进行低温热处理，低温热处理条件为：氧气流速保持为3-20mm/s，室温条件下通入干燥的氧气，150℃开始通入含有水汽的氧气，水汽分压为610.5-1228Pa，从室温到200℃以3℃/分钟的升温速率加热，在200-250℃温区内以0.14℃/分钟的升温速率加热，在250-400℃温区内以1℃/分钟的升温速率加热，400℃以后停止加热和通气，冷却至室温，即获得均匀完整的钇钡铜氧涂层导体前驱膜。