[发明专利]磁场下CdTe太阳电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种磁场下CdTe太阳电池的制备方法，该方法具有以下工艺步骤：透明玻璃衬底预处理；在透明玻璃衬底上制备In₂O₃∶F透明导电薄膜；把玻璃衬底放入近空间升华炉内，在玻璃衬底上生长CdS缓冲层；在制备好的CdS薄膜上使用近空间升华法生长CdTe薄膜，通过超导磁铁线圈对衬底施加1～15T的磁场，生长CdTe吸收层；在CdTe表面溅射金属背电极形成欧姆接触；获得高效CdTe薄膜太阳电池。在强磁场下使用近空间升华法制备CdTe太阳电池，CdTe薄膜的表面平整度及致密性都有了非常明显改善，提高了CdTe薄膜太阳电池的转化效率。

主权项

1、一种磁场下CdTe太阳电池的制备方法，其特征在于：采用磁场下近空间升华法在透明导电玻璃上制备CdTe薄膜太阳电池，该方法具有以下工艺步骤：a、透明玻璃衬底预处理；b、在透明玻璃衬底上制备In2O3:F透明导电薄膜；c、把制备好透明导电薄膜的玻璃衬底放入带有超导磁铁线圈的近空间升华炉内，在玻璃衬底上生长一层CdS缓冲层；d、在制备好的CdS薄膜上使用近空间升华法生长CdTe薄膜：通过所述超导磁铁线圈对所述衬底施加1～15T的磁场，在制备好CdS薄膜的玻璃衬底上生长一层CdTe吸收层；e、使用磁控溅射仪在CdTe表面溅射金属背电极，在高温下退火形成欧姆接触；f、获得高效CdTe薄膜太阳电池。