[发明专利]非布索坦的新晶型及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200910163004.0 申请日: 2009-08-19
公开(公告)号: CN101671315A 公开(公告)日: 2010-03-17
发明(设计)人: 何广卫;李丰;吴强;刘为中 申请(专利权)人: 何广卫
主分类号: C07D277/56 分类号: C07D277/56;A61K31/426;A61P19/06
代理公司: 北京华科联合专利事务所 代理人: 王 为
地址: 230031安徽省合*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了非布索坦的新晶型及其制备方法,所述晶型的制备方法采用四氢呋喃作为溶剂,该晶型静电小,具有良好的溶出度,在制备药物制剂过程中不需要微粉化或制成固体分散体等其他处理方式,按照常规制剂工艺即可得到溶出度好的制剂。
搜索关键词: 非布索坦 新晶型 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种非布索坦的K晶型,其特征在于,该晶体的粉末X-射线衍射图2θ有以下吸收峰4.82±0.2,6.64±0.2,6.88±0.2,7.22±0.2,11.74±0.2,12.82±0.2,13.28±0.2,16.00±0.2,16.50±0.2,17.50±0.2,20.98±0.2,22.02±0.2,23.00±0.2,23.82±0.2,24.70±0.2,25.18±0.2,25.84±0.2,26.68±0.2。
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