[发明专利]一种制备纳米带的新方法无效

专利信息
申请号: 200910160765.0 申请日: 2009-07-17
公开(公告)号: CN101648697A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 杨为佑;谢志鹏;王华涛;安立楠 申请(专利权)人: 宁波工程学院;清华大学;安立楠
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 315016浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种通过纳米线后续高温热处理制备纳米带的新方法,其包括以下具体步骤:(1)将原料纳米线置于Al2O3坩埚中;(2)使用气氛烧结炉对置于坩锅中的原料在N2气氛保护环境下于1450~1600℃进行热处理;(3)热处理保温10~120min;(4)随炉冷却至室温。本发明可以获得高纯度的纳米带状结构,设备和工艺简单。从原理上讲,本发明是通过纳米结构热力学稳定性的控制来实现纳米带的制备,有望成为制备纳米带的一种普适方法。
搜索关键词: 一种 制备 纳米 新方法
【主权项】:
1、一种制备纳米带的新方法,其包括以下具体步骤:1)将原料Si3N4纳米线置于Al2O3坩埚中;2)使用气氛烧结炉对纳米线在N2气氛保护环境下于1450~1600℃进行热处理;3)热处理保温10~120min;4)炉冷至室温。
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