[发明专利]铋/铋锑外延超晶格纳米线及其制备方法无效
| 申请号： | 200910116486.4 | 申请日： | 2009-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101857971A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 窦新存;李广海;雷和畅;李亮;黄小虎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C30B29/68 | 分类号： | C30B29/68;C30B29/62;C30B30/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230031*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铋/铋锑外延超晶格纳米线及其制备方法。纳米线为铋纳米线与铋锑纳米线外延连接成直径为30～120nm的铋/铋锑超晶格纳米线，其中的铋纳米线和铋锑纳米线的每段长度分别为3～99nm和3～99nm，铋锑纳米线中的铋含量为80～50％、锑含量为20～50％；方法为先使用氯化铋、氯化锑、盐酸、酒石酸、柠檬酸、氯化钠和丙三醇配制成电沉积液，再将镀有金膜的多孔氧化铝模板作为阴极，置于电沉积液中于两组交替串接的脉冲电压下进行电沉积，最后将电沉积有铋/铋锑外延超晶格纳米线的多孔氧化铝模板置于强碱溶液中腐蚀掉氧化铝模板，制得铋/铋锑外延超晶格纳米线。纳米线可广泛地用于温差发电和热电制冷等领域，方法易于实施，适于大规模的工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶格 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铋/铋锑外延超晶格纳米线，包括铋纳米线，其特征在于：所述铋纳米线与铋锑纳米线外延连接成铋/铋锑超晶格纳米线；所述铋/铋锑超晶格纳米线的直径为30～120nm，其中的铋纳米线的每段长度为3～99nm、铋锑纳米线的每段长度为3～99nm；所述铋锑纳米线中的铋含量为80～50％、锑含量为20～50％。
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