[发明专利]一种改善高钨含量Ni-W合金基带立方织构的方法有效
申请号: | 200910091893.4 | 申请日: | 2009-08-28 |
公开(公告)号: | CN101635187A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 高忙忙;索红莉;赵跃;高培阔;祝永华;王建宏;刘敏;马麟 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B12/06;C22C19/03;C22C1/04;C22F1/10 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 沈 波 |
地址: | 100124*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于高温超导涂层导体织构金属基带领域。本发明通过在NiW合金中添加微量的Ag元素,通过Ag的微合金化抑制NiW合金中S元素对立方织构的破坏,从而改善高W含量NiW合金基带的立方织构含量,获得高立方织构含量的金属基带。本发明方法简单易行,所制备的Ni-W合金基带具有良好的表面质量和锐利的立方织构,可以直接外延生长过渡层和超导层;同时在液氮温区无(低)磁性,并具有很高的机械强度,可以满足进一步提高YBCO涂层导体性能的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 含量 ni 合金 基带 立方 方法 | ||
【主权项】:
1、一种改善高钨含量Ni-W合金基带立方织构的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在保护气氛中,将纯度为99.99%的Ag粉高能球磨,球磨方式为湿磨,每球磨15min后停5min,有效球磨时间为3~6h,获得粒度小于1um的Ag粉末;2)将Ni粉和W粉按照W原子占Ni和W原子总数的7~9.3%进行混合后,加入步骤1)中球磨后的Ag粉末,并于保护气氛中球磨时间1~4h,得到Ni-W-Ag混合粉末;Ni-W-Ag混合粉末中Ag粉末的含量为100~1000ppm;3)在N2气保护条件下,将Ni-W-Ag混合粉末热等静压烧结制备初始坯锭,烧结温度为1000~1400℃,烧结时间为1~4h,压强为50~200MPa;4)将初始坯锭进行冷轧,道次变形量3~6%,总变形量大于95%,获得冷轧带材;5)在保护气氛中将冷轧带材进行两步退火:首先于600~800℃保温30~60min后,升温至1100~1400℃保温0.5~3h,得到高钨含量Ni-W合金基带。
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