[发明专利]氢化NiMn基合金磁制冷材料、其制备方法及用途无效

专利信息
申请号: 200910086648.4 申请日: 2009-06-16
公开(公告)号: CN101923933A 公开(公告)日: 2010-12-22
发明(设计)人: 胡凤霞;王晶;赵金良;孙继荣;沈保根 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: H01F1/047 分类号: H01F1/047;C22C19/03;C22C1/02;C21D1/26;C21D1/18;C21D1/773;C21D1/76;C22F1/10;C09K5/14
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 刘丹妮;郭广迅
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种具有大磁熵变的氢化NiMn基合金磁制冷材料,其化学通式为:NixMnyMzHα,吸氢前的NixMnyMz合金具有L21哈斯勒(Heusler)型有序结构,其中,M为一种或多种的下述元素的任意比例组合:In、Sb、Sn和Ga。本发明还提供了所述材料的制备方法,该方法包括:首先通过熔炼、退火制备出NixMnyMz单相合金,之后在氢气压下退火制备出NixMnyMzHα氢化物,通过控制氢气压力、退火温度和时间调控合金中的氢含量。氢原子的引入使马氏相变温度向低温移动,从而在可控温区出现巨大磁熵变,磁熵变幅度高于Gd,是理想的高温乃至室温区的磁制冷材料。
搜索关键词: 氢化 nimn 合金 制冷 材料 制备 方法 用途
【主权项】:
一种氢化NiMn基合金磁性材料,其特征在于,所述材料的化学通式为NixMnyMzHα,吸氢前的NixMnyMz合金具有L21哈斯勒(Heusler)型有序结构,其中:M选自以下元素中的一种或几种:In、Sb、Sn和Ga;x的范围是:0<x≤60;y的范围是:0<y≤80,并且满足y≥x/2;z的范围是:0<z≤50,并且满足90≤x+y+z≤110;并且α的范围是:0<α≤50.0。
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