[发明专利]一种在环境扫描电镜中原位生长磷酸二氢钾单晶体的方法

摘要

一种在环境扫描电镜中原位生长磷酸二氢钾单晶体的方法属于材料学科领域。本发明应用ESEM的可控真空环境和变温条件，原位生长KDP单晶体，同时原位观测KDP的溶解和生长过程。本发明通过控制ESEM样品室内的水蒸气压力、相对湿度及样品台的温度，由KDP多晶粉末制备出KDP单晶体：溶解KDP多晶粉末的压力为600-670Pa，温度为-1-1℃，φ≈100％；生长KDP单晶体的压力为600-650Pa、温度为1-2.2℃，φ≈91-95％。本发明方法还适用于生长其它水溶性晶体，并为动态研究水溶性晶体的微观形貌特征，生长机理，水湿环境对水溶性晶体的影响等基础问题提供了方法和条件。

主权项

1、一种在环境扫描电镜中原位生长磷酸二氢钾单晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将磷酸二氢钾多晶粉末固定在环境扫描电镜样品室7内的样品台11上，调节样品室7的真空度至600～670Pa，调节样品台11的温度至-1～1℃，使磷酸二氢钾多晶粉末溶解；2)当磷酸二氢钾多晶粉末溶解后，调节样品室7的压力至600～650Pa，调节样品台11的温度至1～2.2℃，得到磷酸二氢钾单晶体。