[发明专利]纳米晶NdFeB高致密磁体的制备方法有效
| 申请号： | 200910072625.8 | 申请日： | 2009-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101651037A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 胡连喜;王欣;李玉平;袁媛;房文斌;王尔德 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F7/02;B22F9/04;B22F3/16 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 纳米晶NdFeB高致密磁体的制备方法，它涉及一种纳米晶NdFeB磁体的制备方法。本发明解决了现有方法制备的粘结磁体存在磁性能低、相对密度小及机械强度低的问题。本发明方法如下：将NdFeB铸态合金破碎制成的粗粉在室温、氢气氛下进行高能球磨10～30h，获得纳米晶歧化态NdFeB合金粉末，再将歧化态NdFeB合金粉末压制成高致密磁体坯料，然后在真空度为10-5～10-2Pa、温度为700～850℃的条件下烧结30分钟～1小时，即得到晶粒尺寸为30～80nm的纳米晶NdFeB高致密磁体。采用本发明方法制备的纳米晶NdFeB高致密磁体的相对密度达到0.92以上，抗压强度达到212～273MPa，磁能积为176～249k J/m3。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 ndfeb 致密 磁体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、纳米晶NdFeB高致密磁体的制备方法，其特征在于纳米晶NdFeB致高密磁体的制备方法如下：一、采用机械法或氢爆法将NdFeB铸态合金破碎成粒径为0.5～1mm粗粉；二、将粗粉在室温、氢气气氛下进行高能球磨10～30h，实现氢化-歧化，获得由晶粒尺寸均小于10nm的歧化相NdH2±χ、α-Fe和Fe2B组成的歧化态NdFeB合金粉末；三、采用常温模压方法，在压制压力为1000～1500MPa的条件下将歧化态NdFeB合金粉末压制成高致密磁体坯料；四、将高致密磁体坯料在真空度为10-5～10-2Pa、温度为700～850℃的条件下烧结30分钟～1小时，即得到其主磁相Nd2Fe14B晶粒尺寸为30～80nm的纳米晶NdFeB高致密磁体。
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