[发明专利]单端含双羟甲基的聚硅氧烷的合成方法无效
| 申请号： | 200910014573.9 | 申请日： | 2009-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN101508778A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 邬元娟;张萌;陈子雷;张红;王文博;汝医 | 申请（专利权）人： | 邬元娟;张萌;陈子雷 |
| 主分类号： | C08G77/38 | 分类号： | C08G77/38;C08G77/06 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 | 代理人： | 王汝银 |
| 地址： | 250100山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单端含双羟烃基的聚硅氧烷的合成方法。本发明中的制备方法是以烯丙基溴、2，2-二羟甲基丙酸、六甲基二硅氮烷和D3(六甲基环三硅氧烷)为起始原料，经酯化反应、羟基保护、阴离子开环聚合、硅氢加成和醇解反应得到目标化合物单端含双羟甲基的聚硅氧烷，产品纯度在98％以上。本发明具有反应条件温和，原料易得，产品收率、纯度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 单端含双羟 甲基 聚硅氧烷 合成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种单端含双羟甲基的聚硅氧烷的合成方法，其特征是：以烯丙基溴、2，2-二羟甲基丙酸、六甲基二硅氮烷和D3为起始原料，经酯化反应、羟基保护、阴离子开环聚合、硅氢加成和醇解反应得到单端含双羟甲基的聚硅氧烷。
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