[发明专利]用于钝化完整性测试的嵌入式结构无效
| 申请号： | 200880120912.5 | 申请日： | 2008-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101896827A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 露西·A·鲁斯韦耶;雅克兰·塞巴斯蒂恩;帕特里斯·加芒;多明克·乔恩 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于测试覆盖半导体器件的钝化层(108)的完整性的方法和系统。将导电材料的结构层(104)沉积到所述半导体器件的衬底(102)的至少一部分顶部表面上。所述结构层(104)包括多个带(104.1，104.2)，所述多个带与至少两个触点(106.1，106.2)相连，并且设置在至少一部分顶部表面上，使得连续带(104.1，104.2)或所述带(104.1，104.2)的连续部分与不同的触点(106.1，106.2)相连。将钝化层(108)沉积到所述衬底(102)的至少一部分顶部表面和所述结构层(104)上，使得将所述钝化层(108)的材料设置在导电材料的带(104.1，104.2)之间、并且设置在所述结构层(104)的顶部上。然后将导电材料沉积到所述钝化层(108)上，并且测量所述至少两个触点(106.1，106.2)之间的电阻。依赖于所述测量的电阻，确定与关于所述钝化层(108)的完整性有关的指示。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 钝化 完整性 测试 嵌入式 结构 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供半导体器件的衬底(102)；在所述衬底(102)的至少一部分顶部表面上提供导电材料结构层(104)，所述结构层包括多个带(104.1，104.2)，所述多个带与至少两个触点(106.1，106.2)相连，并且设置在所述至少一部分顶部表面上，使得连续的带(104.1，104.2)或所述带(104.1，104.2)的连续部分与不同的触点(106.1，106.2)相连；将钝化层(108)沉积到所述衬底(102)的所述至少一部分顶部表面以及所述结构层(104)上，使得将所述钝化层(108)的材料设置在导电材料的带(104.1，104.2)之间、并且设置在所述结构层(104)的顶部上；将导电材料沉积到所述钝化层(108)上；测量所述至少两个触点(106.1，106.2)之间的电阻；以及依赖于所测量的电阻，确定关于所述钝化层(108)的完整性的指示。
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