[实用新型]一种锑化铝透明薄膜太阳电池无效

专利信息
申请号: 200820061642.2 申请日: 2008-01-07
公开(公告)号: CN201156545Y 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 李卫;冯良桓;吕彬;蔡亚平;张静全;黎兵;武莉莉;雷智;郑家贵;孙震;谢晗科 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: H01L31/072 分类号: H01L31/072
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610064四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种锑化铝透明薄膜太阳电池,属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计。其结构为玻璃/CTO/ZTO/CdS/AlSb/单壁碳纳米管涂层/Ni/Al/MgF2,即在玻璃上先沉积透明导电膜CZT,然后沉积缓冲层ZTO,接着沉积n型窗口层CdS和p型吸收层AlSb,随后沉积单壁碳纳米管涂层作为透明导电背接触,最后沉积Ni/Al栅线以及MgF2减反层。采用这种结构设计,可显著提高薄膜太阳电池的光电转换效率。同时,这种结构的太阳电池能以较高的透过率透过大于800nm波长的太阳光,从而被薄膜叠层电池中的底电池有效利用,因此,这种透明电池对薄膜叠层电池的研制具有重要意义。
搜索关键词: 一种 锑化铝 透明 薄膜 太阳电池
【主权项】:
1.一种锑化铝透明薄膜太阳电池,在玻璃上,顺序沉积CTO透明导电薄膜、ZTO薄膜、窗口层CdS薄膜、吸收层、透明导电背接触层、Ni/Al栅线和MgF2减反膜,其特征是:透明薄膜太阳电池的吸收层为p型AlSb,透明导电背接触层为p型单壁碳纳米管涂层。
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