[发明专利]MgZnO基光电导型紫外探测器的制作方法

摘要

本发明涉及一种MgZnO基光电导型紫外探测器的制作方法，包括对玻璃基底进行清洗，在无基底温度的情况下在玻璃基底上溅射MgZnO合金薄膜层；在常压下，于空气中对溅射MgZnO合金薄膜层的玻璃基底进行退火处理；利用真空蒸发方法在薄膜上镀厚Al叉指状电极。本发明制备的MSM结构的MgZnO合金薄膜基光电导探测器原型器件，改善了所沉积薄膜的晶体质量，探测器暗电流小，光照电流与暗电流差别较大，具有良好的响应特性。

主权项

1. 一种MgZnO基光电导型紫外探测器的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤一：对玻璃基底进行清洗；步骤二：在无基底温度的情况下，在玻璃基底上溅射厚度为200—800nm的MgZnO合金薄膜层；步骤三：在常压下，于空气中对溅射MgZnO合金薄膜层的玻璃基底进行退火处理；退火温度为250℃-450℃，退火时间2h；步骤四：利用真空蒸发方法在退火后的MgZnO合金薄膜上镀100--300nm的A1叉指状电极。