[发明专利]二硅化钼基高温复合材料及其制备方法无效
申请号: | 200810081148.7 | 申请日: | 2008-03-12 |
公开(公告)号: | CN101531519A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 李琎;苏健 | 申请(专利权)人: | 李琎;苏健 |
主分类号: | C04B35/58 | 分类号: | C04B35/58;C04B35/622 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人: | 徐秦中 |
地址: | 加拿大安大略*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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摘要: | 本发明涉及一种二硅化钼基高温复合材料及其制备方法。该方法在较低生产成本下可制备出最高室温韧性与高温合金的相当,并具有更高的高温强度、高温抗蠕变性能和一定塑性加工性能的高温复合材料;该高温复合材料的基体是MoSi2和Si3N4构成的复合基体,MoSi2的平均晶粒尺寸小于2微米,Si3N4微粒的平均粒径小于1微米。本发明的方法是:以Mo2N粉或者Mo5Si3或/和Mo3Si粉为初始粉体,经硅化或氮化—硅化处理得到Mo3Si-Mo5Si3-Si3N4或Mo5Si3-MoSi2-Si3N4复合粉体,复合粉体再与Si粉、SiC等材料强化相混合、压制,然后将坯件在1415~1550℃下烧结,最后将烧结后的坯件进行塑性变形,即获得所需的高温复合材料致密件。 | ||
搜索关键词: | 二硅化钼基 高温 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种二硅化钼基高温复合材料,主要由MoSi2、Si3N4以及材料强化相组成,其特征是所说的MoSi2和Si3N4构成复合基体,MoSi2的平均晶粒尺寸小于2微米,Si3N4微粒的平均粒径小于1微米,Si3N4占复合基体的体积比大于5%,在MoSi2—Si3N4复合基体中部分MoSi2晶粒与部分Si3N4微粒之间为共格或半共格界面,所说的材料强化相是SiC、ZrC、HfC、Si3N4、AlN、ZrN、ZrB、HfB2、ZrB2、Al2O3、Y2O3、HfO2、ZrO2中的一种或几种,材料强化相占高温复合材料的体积比是0~80%。
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