[发明专利]利用单片机内置FLASH程序存贮器模拟EEPROM的数据存储方法无效

专利信息
申请号: 200810055581.3 申请日: 2008-08-09
公开(公告)号: CN101645014A 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 兰永玉 申请(专利权)人: 海信(北京)电器有限公司
主分类号: G06F9/445 分类号: G06F9/445
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266100山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种单片机程序的烧写方法,具体地说涉及利用单片机内置FLASH程序存储器进行烧写的方法,本发明提供了一种既可以利用单片机的FLASH程序存储器进行烧写,并且不影响正常工作程序的利用单片机内置FLASH程序存贮器模拟EEPROM的方法,其包括单片机、EEPROM、输入输出口、电源,电源、输入输出口、EEPROM都和单片机连接,单片机上连接有电源掉电检测电路,本发明的利用单片机内置FLASH程序存贮器模拟EEPROM的数据存储方法,由于利用了单片机的FLASH程序存储器进行信息存储,有效地减少电路成本,另外也节省单片机的I/O。
搜索关键词: 利用 单片机 内置 flash 程序 存贮器 模拟 eeprom 数据 存储 方法
【主权项】:
1.一种利用单片机内置FLASH程序存贮器模拟EEPROM的数据存储方法,其包括单片机、EEPROM、输入输出口、电源,电源、输入输出口、EEPROM都和单片机连接,其特征在于:单片机上连接有电源掉电检测电路,其包括下列步骤:1、电源掉电检测电路检测是否有掉电标志,如果没有,单片机置所有的输入输出口为正常状态;如果有,单片机置所有的输入输出口为非耗电状态,然后进入步骤2;2、检测EEPROM是否有记忆标志,如果没有,回主步骤1继续循环;如果有,关闭中断程序,即不允许打断存储,然后进入步骤3;3、按照规则对单片机内置FLASH程序存储器进行烧写;4、烧写完毕,清烧写标志,防止重复烧写,回步骤1。
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