[发明专利]低温烧结大各向异性压电陶瓷的配方及制备工艺无效

专利信息
申请号: 200810047020.9 申请日: 2008-03-11
公开(公告)号: CN101244934A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 张源伟;邝安祥;邝伟;李先达;陈王丽华;周桃生;柴荔英 申请(专利权)人: 湖北大学;中国科技开发院;深圳市晶畅科技有限公司;香港理工大学;吕新荣
主分类号: C04B35/462 分类号: C04B35/462;C04B35/472;C04B35/622;H01L41/187
代理公司: 武汉金堂专利事务所 代理人: 丁齐旭
地址: 430062湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提出了低温烧结具有大各向异性的降压型压电陶瓷的配方为:(Pb1-XCaX)(Zn1/2W1/2)t(Ni1/3Nb2/3)uTivO3+y MnCO3+z Pb(Cd1/2W1/2)O3其中:x=0.20~0.28,t=0.015~0.055,u=0.010~0.065,t+u+v=1,y=0.002~0.018,z=2~9wt%,wt%为重量百分比。其烧结工艺将配方分为 (Pb1-XCaX)(Zn1/2W1/2)t (Ni1/3Nb2/3)uTivO3+y MnCO3和z Pb(Cd1/2W1/2)O3两部分分别预烧细磨,再按比例混合,经压片、活化烧结、瓷片极化、检测、出成品。本发明优点在于:烧结温度从1150℃降低至950℃,节省电能,降低制作器件的成本。
搜索关键词: 低温 烧结 各向异性 压电 陶瓷 配方 制备 工艺
【主权项】:
1、一种低温烧结大各向异性压电陶瓷的配方,其特征是配方化学计量为:(Pb1-XCaX)(Zn1/2W1/2)t(Ni1/3Nb2/3)uTivO3+y MnCO3+z Pb(Cd1/2W1/2)O3 其中:x=0.20~0.28,t=0.015~0.055,u=0.010~0.065,t+u+v=1,y=0.002~0.018。z=2~9wt%,wt%为重量百分比。
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