[发明专利]一种大场纵向表面磁光克尔效应测量装置无效

专利信息
申请号: 200810036920.3 申请日: 2008-04-30
公开(公告)号: CN101271059A 公开(公告)日: 2008-09-24
发明(设计)人: 马斌;顾培培;张宗芝;金庆原 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: G01N21/21 分类号: G01N21/21;G01R33/14
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于光学技术领域,具体为一种大场纵向表面磁光克尔效应测量装置。该装置由电磁铁、程控磁铁电源、光路系统、操作控制系统(PC机)组成,其中,光路系统依次为半导体激光器、起偏棱镜、半透半反棱镜、一检偏棱镜、一光电探测器、凸透镜、样品架、光阑、另一检偏棱镜、长焦距凸透镜和另一光电探测器组成;测量用磁场由电磁铁提供,在磁极间距为4cm时能提供最大至1.5特斯拉的磁场。本发明利用一会聚凸透镜有效地增大了光在样品表面的入射角和反射角,克服了磁极间距对激光入射角的限制,增强了纵向表面磁光克尔信号强度。本发明使得通过磁光克尔效应测量大矫顽力磁性薄膜成为可能。
搜索关键词: 一种 纵向 表面 克尔 效应 测量 装置
【主权项】:
1、一种大场纵向表面磁光克尔效应测量装置,其特征在于该装置由电磁铁、程控磁铁电源、光路系统和PC机组成,所述光路系统如下:激光器(1)发出的激光经过起偏棱镜(2),再经过半透半反棱镜(3),激光被分成两束,其中,一束作为参考光经过检偏棱镜(4),直接射入光电探测器(5),信号接入PC机(15);另一束透射光进入凸透镜(6),凸透镜(6)下面为样品架(7),透射光经过样品反射,经过光阑(8),再经过另一检偏棱镜(9)、长焦距凸透镜(10),射入另一光电探测器(11),然后采集信号送入PC机(15),同时也送入数字电压表(12);凸透镜(6)和样品架(7)设置于电磁铁13)中间,程控磁铁电源(14)与电磁铁(13)连接,并受PC机(15)控制,PC机(15)通过其操作控制系统接收光路信号,并控制程控磁铁电源(14)。
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