[发明专利]电解电容器用负极箔的制备工艺有效

专利信息
申请号: 200810029811.9 申请日: 2008-07-29
公开(公告)号: CN101425379A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 江国东 申请(专利权)人: 东莞市东阳光电容器有限公司
主分类号: H01G9/04 分类号: H01G9/04;H01G9/045;C23G1/00;C23C14/26;C23C14/16
代理公司: 东莞市华南专利商标事务所有限公司 代理人: 李玉平
地址: 523853广东省东莞市广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及负极箔技术领域,特别涉及电解电容器用负极箔的制备工艺,包括以下步骤:箔片清洗、镀钛金属膜、浸渍和干燥固化,在箔片镀上一层钛金属膜,大大提高负极箔介电层的介电常数ε,使得负极箔介电层的介电常数ε较现有技术的介电常数高5~15倍,在同等比表面的条件下可以大幅度提高负极箔的容量;此外,硅烷偶联剂经过固化处理后,在钛金属层表面形成一层保护层,阻隔了空气中的氧气跟铝箔接触,避免铝氧化引起的劣化作用,改善钛金属膜在空气中的稳定性,确保了钛金属膜正常发挥作用。
搜索关键词: 电解电容 器用 负极 制备 工艺
【主权项】:
1、电解电容器用负极箔的制备工艺,其特征在于:包括以下步骤:a、箔片清洗:将箔片置于0.2~0.5mol/L的氢氧化钠或磷酸溶液中清洗10~60秒;b、镀钛金属膜:采用电子束蒸镀的方式在箔片表面沉积一层钛金属膜;c、浸渍:将经过镀钛金属膜的箔片浸入硅烷偶联剂溶液中,浸渍时间为8~20秒;d、干燥固化:将浸渍后的箔片进行干燥固化处理,处理温度为60~100℃,处理时间为10~60分钟,硅烷偶联剂在干燥固化过程中发生聚合反应,形成一层硅胶保护层,在镀有钛金属膜的箔片外表面形成一层硅胶保护层,即形成电解电容器用负极箔。
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