[发明专利]钨酸镉闪烁单晶的坩埚下降法生长工艺

摘要

本发明公开了钨酸镉闪烁单晶的坩埚下降法生长工艺，该技术属于单晶生长领域。以高纯度CdO(99.99％)和WO₃(99.99％)为初始原料，按照CdO∶WO₃＝1∶1的摩尔比配制粉料，经过充分球磨混合后，将粉料压制成适当规格的料锭，再经过1000～1150℃高温烧结2～6小时，获得CdWO₄陶瓷状多晶料锭。采用壁厚0.1～0.3毫米的特制铂坩埚盛装籽晶和料锭，将坩埚密封后置于单晶生长炉中，控制炉温于1340～1400℃，调节坩埚位置使料锭与籽晶顶部熔接，形成温度梯度为20～60℃/厘米的稳定固液界面，然后以小于2毫米/小时的速率进行坩埚下降生长，所生长晶体再经950～1050℃下退火处理，即可获得高质量大尺寸钨酸镉单晶。该工艺有效避免了该晶体生长固有的有害熔体成分挥发，在晶体生长过程中熔体成分保持恒定，能够应用于批量生长各种规格形状的钨酸镉单晶。

主权项

1、钨酸镉闪烁单晶的坩埚下降法生长工艺，包括原料合成、晶体生长、晶体退火等步骤，其特征在于：(1)采用高纯度CdO(99.99％)和WO3(99.99％)为初始原料，按照CdO∶WO3＝1∶1的摩尔比配制粉料，经过充分球磨混合后，将粉料压制成适当规格的料锭，再经过1000～1150℃高温烧结2～6小时，获得CdWO4陶瓷状多晶料锭。(2)采用特制铂坩埚盛装籽晶和料锭，将坩埚密封后置于单晶生长炉中，控制炉温于1340～1400℃，调节坩埚位置使料锭与籽晶顶部熔接，形成温度梯度为20～60℃/厘米的稳定固液界面，然后以小于2毫米/小时的速率进行坩埚下降生长。(3)单晶生长结束后，所获得浅黄棕色单晶经950～1050℃下退火处理24小时，即可获得高质量大尺寸无色或极浅色钨酸镉单晶。