[发明专利]降埚直拉法生长低位错锗单晶工艺及装置有效
| 申请号： | 200710099557.5 | 申请日： | 2007-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN101063227A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 苏小平;冯德伸;杨海;李楠;尹士平 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/08 | 分类号： | C30B29/08;C30B15/30 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于生长单晶技术领域的一种降埚直拉法生长低位错锗单晶工艺及装置。该装置为直拉炉，在炉体内中央的坩埚杆顶部固定坩埚，主发热体和底发热体固定坩埚周围和底部，侧保温屏和上保温屏组成保温罩，罩在主加热体和底加热体周围，籽晶夹头挂在坩埚上方。采用降埚直拉法生长低位错锗单晶，工艺流程为将高纯锗原料放到坩埚内，将籽晶安装在籽晶夹头上，在拉晶过程中逐渐降低埚位，晶体是自上而下生长，实现在较小温度梯度热场条件下，在较高埚位进行缩颈然后降低埚位进行拉晶的关键技术，有效解决了缩颈和位错增殖之间的矛盾，生长成功大尺寸(4英寸以上)低位错锗单晶，满足空间高效GaAs/Ge太阳电池衬底片要求。 | ||
| 搜索关键词： | 降埚直拉法 生长 低位 错锗单晶 工艺 装置 | ||
【主权项】：
1.一种降埚直拉法生长低位错锗单晶工艺，其特征在于，工艺流程如下：将高纯锗原料放到坩埚内，将籽晶安装在籽晶夹头上，抽真空到3帕以上，通入高纯氩气到常压，氩气流量为50升/分，升温到1000℃将锗熔化，升高埚位，降温到引晶温度935℃后进行引晶，调整晶转为8-15转/分，埚转2-6转/分，设定拉晶速度0.4-0.8mm/min，通过调整温度控制细颈生长，细颈直径4-8mm，长度大于200mm，然后开始降低埚位，速度控制在0.02-0.1mm/min范围，在降埚过程中通过调整拉速到0.1-0.2mm/min，控制温度使单晶长大到所需尺寸，然后进入等径生长状态，晶体生长结束后停止晶转、埚转、晶升和埚降，按照10-30℃/小时速率降温，降到室温后打开炉膛取出单晶。
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