[发明专利]电容传感器有效
申请号: | 200710091401.2 | 申请日: | 2007-03-28 |
公开(公告)号: | CN101046491A | 公开(公告)日: | 2007-10-03 |
发明(设计)人: | 古久保英一;宫岛久和 | 申请(专利权)人: | 松下电工株式会社 |
主分类号: | G01R27/26 | 分类号: | G01R27/26;H01L29/84 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 张成新 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明披露了一种电容传感器,该电容传感器包括误差补偿单元,在作为边缘部分的固定电极的一部分和活动电极的一部分在检测单元错位的方向上彼此相对并保持一定间隙的布置中,误差补偿单元利用根据错位引起的间隙的变化的电容的变化,减小检测单元中由梳齿部分彼此错位产生的电容的检测误差。 | ||
搜索关键词: | 电容 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种具有形成在半导体层(2)上的固定电极(6)和活动电极(5)的电容传感器,其中检测单元(8)被构造为固定电极(6)的一部分和活动电极(5)的一部分彼此相对并在其间保持间隙(10a),并且所述电容传感器通过检测根据间隙(10a)的尺寸变化的电容而检测预定的物理量,所述电容传感器包括:误差补偿单元(9),在固定电极(6)的另一部分(6b)和活动电极(5)的另一部分(5d)在检测单元(8)错位的方向上彼此相对并保持另一间隙(10b)的布置中,所述误差补偿单元(9)利用根据错位引起的另一间隙(10b)的变化的电容的变化,减小检测单元(8)中由电极彼此错位产生的电容的检测误差。
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