[发明专利]低温烧结低损耗高频介质陶瓷及制备方法

摘要

本发明公开了一种低温烧结低损耗高频介质陶瓷，其组成及摩尔百分比含量为：Li_1+x－yNb_1－x－3yTi_x+4yO₃，其中0.05＜x＜0.2，0＜y＜0.15，在此基础上添加重量百分比为0.5～6％的B₂O₃、1～4％的Bi₂O₃、0.5～3％的CuO和2～10％玻璃粉的其中一至两种；所述玻璃粉组分及重量百分比含量为：40～60％的Pb₃O₄、3～8％的SiO₂、15～30％的Bi₂O₃、2～7％的ZnO、5～10％的TiO₂和1～5％的H₃BO₃。制备步骤为：(1)配料、球磨；(2)烘干、预烧；(3)二次配料；(4)球磨、烘干、造粒、压制成型、烧成。本发明烧结温度低(900℃以下)、介电损耗低、介电常数高、同时保持了优异的介电性能、并能与高电导率的银金属内电极共烧。

主权项

1.一种低温烧结低损耗高频介质陶瓷，其特征在于，其组成及摩尔百分比含量为：Li1+x-yNb1-x-3yTix+4yO3，其中0.05＜x＜0.2，0＜y＜0.15，在此基础上添加重量百分比为0.5～6％的B2O3、1～4％的Bi2O3、0.5～3％的CuO和2～10％玻璃粉的其中一至两种；所述玻璃粉组分及重量百分比含量为：40～60％的Pb3O4、3～8％的SiO2、15～30％的Bi2O3、2～7％的ZnO、5～10％的TiO2和1～5％的H3BO3。