[发明专利]含氧缺陷的氧化硅复合硒化镉纳米晶的制备方法无效
| 申请号： | 200710057764.4 | 申请日： | 2007-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101096582A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 李亚利;钱力鹏;侯峰;张良宏 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C09K3/00 | 分类号： | C09K3/00;C09K11/88 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 | 代理人： | 赵敬 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含氧缺陷的氧化硅复合硒化镉纳米晶的制备方法，属于氧化硅的纳米复合材料技术。该方法包括以下过程：首先，在真空加热的石英管反应器中，在氩气保护下，将石英管加热至600-1200℃，将硅氧烷送入石英管的高温区中，反应5min，降温至20-30℃后，得到SiOx纤维，其中1＜x＜2，再以含氧缺陷的氧化硅纤维和硒化镉纳米晶按质量比分散在甲苯、正己烷、正庚烷或丙酮中，超声分散，在惰性气氛下加热搅拌反应，得到含氧缺陷的氧化硅复合硒化镉纳米晶的结构。本发明的优点在于采用含有氧缺陷的氧化硅为原料，与未经任何处理的硒化镉纳米晶在溶液中反应，得到氧化硅复合硒化镉纳米晶的结构。此氧化硅复合纳米晶结构吸附均匀，一致性好。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 氧化 复合 硒化镉 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含氧缺陷的氧化硅复合硒化镉纳米晶的制备方法，其特征在于包括以下过程：首先，以硅氧烷为原料，在真空加热的石英管反应器中，在氩气保护下，将石英管加热至600-1200℃，将硅氧烷送入石英管的高温区中，反应5min，再经自然冷却，降温至20-30℃后，得到平均直径为45nm的SiOx纤维，其中1＜x＜2，再以含氧缺陷的氧化硅纤维和粒径为1-10nm的硒化镉纳米晶按质量比为1∶(0.1-1)分散在甲苯、正己烷、正庚烷或丙酮中，超声分散5-30min，然后转入三口瓶中，在氩气或氮气气氛下加热至40-80℃，搅拌反应5-60min，得到含氧缺陷的氧化硅复合硒化镉纳米晶的结构。
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