[发明专利]一种具有红外光生伏特效应的“光敏染料/硅”双层结构无效
申请号: | 200710048818.0 | 申请日: | 2007-04-05 |
公开(公告)号: | CN101055897A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 张祖训;郝纪祥;张盛唐 | 申请(专利权)人: | 成都埃福斯材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0256 | 分类号: | H01L31/0256 |
代理公司: | 成都信博专利代理有限责任公司 | 代理人: | 舒启龙 |
地址: | 610041*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有红外光生伏特效应的“光敏染料/硅”双层结构,其结构为右式,它将多甲川菁染料直接化学共价键合于单晶硅、多晶硅或非晶硅表面形成双层结构的异质结,可以在红外光的波长范围内获得光生伏特效应,这在理论上和应用上都有重要意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 红外光 伏特 效应 光敏 染料 双层 结构 | ||
【主权项】:
1、一种具有红外光生伏特效应的“光敏染料/硅”双层结构,其特征是,其结构式为:![]()
分别代表:
其中R1为H CH3 C2H5 CH3O C2H5O Cl Br I(CH3)2N HO![]()
其中R2,R3为H CH3 C2H5 C3H7 C6H5
其中R4,R5为H CH3 C2H5 C6H5 CH3O C2H5O Cl BrI(CH3)2N HO
其中R6,R7为H CH3O C2H5O
其中R8为H CH3O C2H5O Cl HO![]()
其中R9为H CH3 C2H5 C6H5 Cl CH3O C2H5O HO![]()
其中R10为H CH3 C2H5![]()
其中R11R12为H CH3 C2H5 C6H5 Cl CH3O C2H5On=1,2,3,4,5……正整数
n=1,2,3,4,5……正整数②G1,G2分别代表H CH3 C2H5 C3H7 C4H9 C6H5 C6H5O CH3OC6H5S C6H5NH Cl Br
③n=0,1;m=0,1④L代表乙撑基取代乙撑基丙撑基取代丙撑基⑤X-代表负离子⑥A代表CH2CHCH2OB代表CH2CHSi(OR’)2O R’为CH3、C2H5在AnBm中,n,m可均等于零,亦可n为零m为壹或者n为壹m为零⑦R代表烷基,取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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