[发明专利]强磁场作用下制备磺化聚醚醚酮质子交换膜的方法

摘要

本发明涉及一种强磁场作用下制备磺化聚醚醚酮质子交换膜的方法。该方法采用强磁场对未改性或稀土改性的SPEEK质子交换膜进行处理，所得质子交换膜的电导率在20℃～100℃达到0.30×10^－2～9.90×10^－2Scm^－1、阻醇系数达到1.00×10^－7～8.50×10^－7cm²s^－1。

主权项

1.一种强磁场作用下制备磺化聚醚醚酮质子交换膜的方法，其特征在于该方法的具体步骤为：a.制膜液的制备：将磺化度为30～95的磺化聚醚醚酮SPEEK溶解在制膜溶剂中，配制成质量百分比浓度为5％～40％的SPEEK制膜液；b.在步骤a所得的制膜液中，加入稀土金属氧化物粉末，其加入量为磺化聚醚醚酮SPEEK质量的0％～10％，在20℃～90℃下，充分搅拌，使稀土金属氧化物粉末在制膜液中分散均匀，得到混合制膜液；c.将经步骤b配制成的混合制膜液倒入洁净的平板模具中，在10℃～80℃下挥发溶剂，得到SPEEK湿膜；再将湿膜在30℃～200℃下恒温干燥0.5～96h；或者将湿膜先在30℃～100℃下干燥4～72小时，再升温至100℃～200℃干燥0.5～6小时，得到SPEEK干膜；d.将步骤c得到的SPEEK干膜在强度为1～12T的恒定磁感应强度条件下进行磁场处理，且SPEEK干膜与磁场方向的夹角为0°～90°；温度控制方式为：在20℃～200℃温度下，保温0.2～24小时；冷却到室温，即得到经强磁场处理的SPEEK质子交换膜。