[发明专利]单分散三元硫属化物AgInS2的制备方法

摘要

本发明涉及一种单分散三元硫属化物AgInS₂的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。以烷基胺为表面活性剂，采用化学溶液法制备单分散三元硫属化物AgInS₂纳米晶。首先将银盐、铟盐、硫源及烷基胺分散于溶剂中，制备反应液，然后将配制好的反应液进行溶剂热处理，即可得到形貌规则的单分散三元硫属化物AgInS₂纳米晶。本发明方法简单、成本低，可以大规模的合成单分散的AgInS₂纳米晶。制备所得的AgInS₂纳米晶为长方体形状,其尺寸大小为17±0.5纳米，且可以在大范围内自组装形成单层的纳米超晶格。

主权项

1、一种单分散三元硫属化物AgInS2的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)化学反应液的配制：将银盐、铟盐、表面活性剂烷基胺、二硫化碳混合溶于苯甲醚中，配制成反应液；其中银盐的浓度为0.01～0.05mol·l-1，铟盐与银盐的摩尔比为1∶1，表面活性剂与银盐的摩尔比为6～15，二硫化碳与银盐的摩尔比为20～40；2)单分散三元硫属化物AgInS2纳米晶的合成：将反应液移入带有聚四氟乙烯内胆的高压反应釜，于160-180℃溶剂热处理12-24小时后，自然冷却到60-70℃，加入反应液总体积20～30％的甲醇，将产物离心分离，用无水乙醇洗涤数次，真空抽干，即获得单分散三元硫属化物AgInS2纳米晶。