[发明专利]硅基光子分子的设置与制备方法无效
| 申请号： | 200710025127.9 | 申请日： | 2007-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101114102A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 钱波;陈三;陈坤基;张贤高;刘奎;丁宏林;李伟;徐岭;徐骏;马忠元;黄信凡 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G02F1/35 | 分类号： | G02F1/35;G01N21/64 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 硅基光子分子的设置方法，以气相共形薄膜生长制备的光子分子，在玻璃和硅衬底设有直径尺寸为0.5－5μm，高度为0.4－2μm的柱形平台，并以共形薄膜生长方法制备含两个或多个有源层为a－SiNz的三维限制微腔结构：即形成两个有源层的三维DBR限制结构的微腔；设有两个DBR位于两个有源层两侧微腔的谐振波长为λ，DBR包括4±10个周期的中低折射率层和高折射层的a－SiNx和a－SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射层的折射率之间a－SiNz薄膜，厚度为λ/(2n)；两个有源层之间的距离为m个周期，DBR的厚度d＝m×L，m为0.5－9.5，L为一个周期高低折射率薄膜的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 分子 设置 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.硅基光子分子的设置方法，其特征是以气相共形薄膜生长制备的光子分子，在玻璃和硅衬底设有直径尺寸为0.5-5μm，高度为0.4-2μm的柱形平台，并以共形薄膜生长方法制备含两个或多个有源层为a-SiNz的三维限制微腔结构：即形成两个有源层的三维DBR限制结构的微腔；设有两个DBR位于两个有源层两侧微腔的谐振波长为λ，DBR包括4±10个周期的中低折射率层和高折射层的a-SiNx和a-SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/(4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射层的折射率之间a-SiNz薄膜，厚度为λ/(2n)；两个有源层之间的距离为m个周期，DBR的厚度d＝m×L，m为0.5-9.5，L为一个周期高低折射率薄膜的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710025127.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
