[发明专利]非晶硅多结核电池无效
| 申请号： | 200710002565.3 | 申请日： | 2007-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101236795A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;马昕 | 申请（专利权）人： | 北京行者多媒体科技有限公司 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100086北京市海淀区中关村南大街*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了将核能转换成电能的原子电池的一种设计方案。本发明通过由多结非晶硅p－i－n型电池重叠而成的多结核电池，使得基于非晶硅的β伏(beta－voltaic)电池的电压和输出功率大大增强。在此类非晶硅多结β伏核电池中，β辐射也可由放置在非晶硅p－i－n结构之间和之外的接触层提供。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅多 结核 电池 | ||
【主权项】：
1. 一个多结β伏电池，其特征在于：所述多结β伏电池是由多个p-i-n型β伏电池组成，每个所述的p-i-n型β伏电池由以下几个部分组成：a)一个由含有硼掺杂的氚化非晶硅薄膜(包括非晶硅或氚化硅合金薄膜)组成的β辐射的p层；b)一个由含有磷掺杂的氚化非晶硅薄膜(包括非晶硅或氚化硅合金薄膜)组成的β辐射的n层；c)一个由不含有放射性成分的(包括氚)，厚度在60-800纳米范围之内的，放置在β辐射的p层和n层之间的，本征非晶硅或其合金所组成的层。
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