[发明专利]显示装置无效
| 申请号： | 200680046430.0 | 申请日： | 2006-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101326858A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 今井利明;安部薰;久保田绅治;森川慎一郎;西村贞一郎 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/04 | 分类号： | H05B33/04;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 董方源 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种能够通过保护膜来保护发光器件并且能够防止发光器件的性能下降从而维持良好的显示特性的显示装置，所述保护膜具有良好的密封特性以及侧壁阶梯覆盖。包括在基板2上设置的并且通过保护膜4保护的有机电致发光器件3的显示装置1的特征在于，保护膜4由氮化硅膜4a、4b和4c构成，所述氮化硅膜4a、4b和4c是通过使用氨气的化学气相沉积方法以层的方式形成的，高密度氮化硅膜4c被设置在保护膜4的表层中，并且密度低于高密度氮化硅膜4c的低密度氮化硅膜4b被设置在高密度氮化硅膜4c下面。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置，包括设置在基板上的通过保护膜保护的发光器件，所述显示装置的特征在于，所述保护膜是通过层积氮化硅膜而形成的，所述氮化硅膜具有不同的膜密度并且通过使用氨气的化学气相沉积方法来沉积，并且所述保护膜的表层的氮化硅膜被配置为具有比所述表层下面的氮化硅膜的密度更高的密度。
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